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Si7465DP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
1.0
0.8
I D = 250 μA
100
80
0.6
0.4
0.2
60
40
0.0
20
- 0.2
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10 Limited by R DS(on) *
1
0.1
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single Pulse
100 s, DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 85 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wa v e Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
S13-2263-Rev. D, 04-Nov-13
4
Document Number: 73113
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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